LCY 在半導體材料領域深耕多年,深知先進封裝製程中每一道清洗工序都攸關成品良率與晶片可靠度,因此研發能夠橫跨前段、後段至先進封裝的完整濕製程材料,以自主技術打造具備高效清洗力、高選擇性與高介面相容性的解決方案。
先進半導體濕式配方
高效低耗的先進製程優勢
透過高效清洗力、高選擇性與卓越介面相容性的化學設計,李長榮自主研發半導體製程濕式配方,涵蓋蝕刻液與洗劑兩大核心應用。
可精準移除雷射脫膠、暫時鍵合/解鍵合、RIE/灰化等製程殘留物,同時避免損傷晶圓、微凸塊與關鍵金屬層,有效維持表面潔淨度與結構完整性。
此外更具備穩定可控的反應速率與高選擇比,有效抑制側蝕風險,確保處理後表面潔淨,為後續二次加工與先進封裝製程建立可靠介面,適用於 WLP、PLP 及 2.5D/3D IC 等應用。


應用於先進封裝之關鍵特性
- 聚矽氧烷
- 聚甲基丙烯酸甲酯
- 聚對苯二甲酸乙二醇酯
- 環氧樹脂
- 聚醯亞胺
- 砷化鎵晶圓
- 矽晶圓
- 不鏽鋼
- 玻璃基板
- N-甲基吡咯烷酮
- 四甲基氫氧化銨
- 二甲基亞碸
配方洗劑解決方案
1. 先進封裝
ESV系列專為先進封裝而生,具備強效清洗能力與優異介面保護性,能應對暫時鍵合/解鍵合、雷射脫膠等高挑戰製程,並廣泛適用於 WLP、PLP 與 2.5D/3D IC 堆疊架構。搭配 SR 系列凸塊蝕刻液,LCY 形成完整的先進封裝濕製程解決方案,成為新世代高效能晶片的關鍵技術後盾。
暫時鍵合與解鍵合殘留物清洗
- ESV-100 系列
- ESV-300 系列
- ESV-400 系列
凸塊蝕刻液
- SR 系列
2 .前段製程
LCY的LMG 系列以高選擇性蝕刻為核心,能精準去除目標材料而不傷害基材,為後續製程打造穩定且一致的界面品質,確保晶圓處理在初始階段就達到最佳條件。
選擇性蝕刻液
- LMG 系列
3 .後段製程
在反應性離子蝕刻(RIE)、灰化或 Bulk PR 處理後,LTW 與 LMG 系列能快速清除難以處理的殘留物,同時維持金屬與介電層完整性,順利銜接進入更精密的封裝流程。
Bulk PR 與反應性離子蝕刻(RIE) / 灰化殘留物清除
- LTW 系列
- LMG 系列
跨製程整合應用方案
LCY以材料創新與製程理解為核心,打造出兼具效率、可靠度與永續性的濕製程解決方案,並將持續成為先進封裝發展中的重要推動者,與全球半導體客戶共同邁向更高效、更精準、更具永續價值的下一世代製程。

產品規格
| 牌號 | 產品線 | 類型 | 應用類別 | |
|---|---|---|---|---|
| ESV | 洗劑 | TBDB 移除劑 | 濕式化學品、濕式清洗劑、剝離清洗劑、暫時鍵合剝離去除劑、黏著層去除劑、離型層去除劑、殘膠去除劑、雷射剝離殘膠清洗、半導體先進封裝 FOWLP、FOPLP、TSV、CoWoS、Power chip、HBM和異質整合等製程中去除鍵合殘膠 | 樣品索取資料下載 |
| IBC | 洗劑 | 助焊劑清潔劑 | 濕式化學品、濕式清洗劑、助焊劑清潔劑、去助焊劑劑、除助焊劑劑、焊錫殘留物去除劑、Flip Chip、BGA和CSP 封裝後及 Underfill 前,清潔焊球或凸塊接合後的助焊劑殘留 | 樣品索取資料下載 |
| LTW | 洗劑 | 灰化殘留物清除 | 濕式化學品、濕式清洗劑、去光阻液、剝離液和蝕刻後殘膠去除劑 | 樣品索取資料下載 |
| SR | 蝕刻液 | 凸塊蝕刻液 | Fan-Out、2.5D和3D IC 蝕刻微凸塊(Micro-bump)以控制尺寸,確保堆疊互連精度 | 樣品索取資料下載 |
| LMG | 蝕刻液 | 選擇性蝕刻液 | 多晶矽蝕刻液 | 樣品索取資料下載 |
常見問題
我們的製程參數較特殊,你們如何確保開發出的洗劑能精準對標我們的需求?
我們不只是銷售化學品,我們是與您共同開發製程解決方案。透過將您的製程參數視為研發的核心變數,我們能確保最終交付的洗劑不僅符合規格,更能優化您的良率與產出速度。
產品純度是否符合半導體使用?
我們不只是一家化學品供應商,我們具備從研發、精密分析到大批量生產的全方位電子級管控能力。我們的目標是將雜質控制到極致,讓客戶在開發先進封裝製程時,無需擔憂化學品的穩定性問題。
這類材料與一般通用型化學品有何差異?
相較於一般通用型化學品,本系列產品針對半導體與先進封裝製程進行專用設計,著重於製程相容性、材料選擇性與穩定性。
產品在配方設計與品質控管上,能有效降低對金屬、介電層、封裝結構或微細圖形的潛在影響,並支援高階製程對潔淨度與一致性的要求。
是否適用於先進節點或先進封裝製程?
本系列材料可支援先進節點與先進封裝相關製程需求,包括高密度互連、微細結構與薄晶圓應用。
實際適用性仍需依客戶製程條件、材料組合、設備配置與品質要求進行評估,以確保在特定製程中的穩定性與可靠度。
Bump Etchant 產品對於底切(Undercut)的控制表現如何?如何維持蝕刻速率的一致性?
我們透過高度優化的選擇比與金屬離子控管技術,我們能協助客戶在追求極細間距的同時,依然保有極高的結構強度與製程良率。
在 TBDB 過程中,你們的清洗液如何處理高黏度膠材殘留?
我們重新定義了高效清洗:在不犧牲環境與工安的前提下,透過精準的分子設計,將高黏度殘留物的清洗效率與低 VOC 排放完美結合,為您的先進封裝製程提供更綠色、更穩定的選擇。
Flux cleaner在微間距(Fine Pitch)結構下,你們的產品如何解決毛細現象導致的清洗不完全問題?
面對微間距的挑戰,我們的 Flux Clean 方案本質上是將『物理流體性能』與『化學溶解能力』結合。透過降低表面張力與強化分子級的置換效率,我們能確保即便在最密集的封裝結構下,依然實現零殘留的清洗表現。
這些產品是否符合永續發展與高關注物質要求?
產品在設計與開發階段即納入永續發展與供應鏈管理考量,配方中不使用 PFAS、DMSO、NMP 等高度關注或受限物質。
同時兼顧製程效能、操作安全與環境友善性,協助客戶符合 ESG 目標與產業對永續製造的期待。


