LCY 在半導體材料領域深耕多年，深知先進封裝製程中每一道清洗工序都攸關成品良率與晶片可靠度，因此研發能夠橫跨前段、後段至先進封裝的完整濕製程材料，以自主技術打造具備高效清洗力、高選擇性與高介面相容性的解決方案。
先進半導體濕式配方
高效低耗的先進製程優勢
透過高效清洗力、高選擇性與卓越介面相容性的化學設計，李長榮自主研發半導體製程濕式配方，涵蓋蝕刻液與洗劑兩大核心應用。
可精準移除雷射脫膠、暫時鍵合／解鍵合、RIE／灰化等製程殘留物，同時避免損傷晶圓、微凸塊與關鍵金屬層，有效維持表面潔淨度與結構完整性。
此外更具備穩定可控的反應速率與高選擇比，有效抑制側蝕風險，確保處理後表面潔淨，為後續二次加工與先進封裝製程建立可靠介面，適用於 WLP、PLP 及 2.5D／3D IC 等應用。
應用於先進封裝之關鍵特性
- 聚矽氧烷
- 聚甲基丙烯酸甲酯
- 聚對苯二甲酸乙二醇酯
- 環氧樹脂
- 聚醯亞胺
- 砷化鎵晶圓
- 矽晶圓
- 不鏽鋼
- 玻璃基板
- N-甲基吡咯烷酮
- 四甲基氫氧化銨
- 二甲基亞碸
配方洗劑解決方案
1. 先進封裝
ESV系列專為先進封裝而生，具備強效清洗能力與優異介面保護性，能應對暫時鍵合／解鍵合、雷射脫膠等高挑戰製程，並廣泛適用於 WLP、PLP 與 2.5D／3D IC 堆疊架構。搭配 SR 系列凸塊蝕刻液，LCY 形成完整的先進封裝濕製程解決方案，成為新世代高效能晶片的關鍵技術後盾。
暫時鍵合與解鍵合殘留物清洗
- ESV-100 系列
- ESV-300 系列
- ESV-400 系列
凸塊蝕刻液
- SR 系列
2 .前段製程
LCY的LMG 系列以高選擇性蝕刻為核心，能精準去除目標材料而不傷害基材，為後續製程打造穩定且一致的界面品質，確保晶圓處理在初始階段就達到最佳條件。
選擇性蝕刻液
- LMG 系列
3 .後段製程
在反應性離子蝕刻（RIE）、灰化或 Bulk PR 處理後，LTW 與 LMG 系列能快速清除難以處理的殘留物，同時維持金屬與介電層完整性，順利銜接進入更精密的封裝流程。
Bulk PR 與反應性離子蝕刻(RIE) / 灰化殘留物清除
- LTW 系列
- LMG 系列
跨製程整合應用方案
LCY以材料創新與製程理解為核心，打造出兼具效率、可靠度與永續性的濕製程解決方案，並將持續成為先進封裝發展中的重要推動者，與全球半導體客戶共同邁向更高效、更精準、更具永續價值的下一世代製程。
產品規格
| 牌號 | 產品線 | 類型 | 應用類別 | |
|---|---|---|---|---|
| ESV | 洗劑 | TBDB 移除劑 | 濕式化學品、濕式清洗劑、剝離清洗劑、暫時鍵合剝離去除劑、黏著層去除劑、離型層去除劑、殘膠去除劑、雷射剝離殘膠清洗、半導體先進封裝 FOWLP、FOPLP、TSV、CoWoS、Power chip、HBM和異質整合等製程中去除鍵合殘膠 | 樣品索取資料下載 |
| IBC | 洗劑 | 助焊劑清潔劑 | 濕式化學品、濕式清洗劑、助焊劑清潔劑、去助焊劑劑、除助焊劑劑、焊錫殘留物去除劑、Flip Chip、BGA和CSP 封裝後及 Underfill 前，清潔焊球或凸塊接合後的助焊劑殘留 | 樣品索取資料下載 |
| LTW | 洗劑 | 灰化殘留物清除 | 濕式化學品、濕式清洗劑、去光阻液、剝離液和蝕刻後殘膠去除劑 | 樣品索取資料下載 |
| SR | 蝕刻液 | 凸塊蝕刻液 | Fan-Out、2.5D和3D IC 蝕刻微凸塊（Micro-bump）以控制尺寸，確保堆疊互連精度 | 樣品索取資料下載 |
| LMG | 蝕刻液 | 選擇性蝕刻液 | 多晶矽蝕刻液 | 樣品索取資料下載 |
